2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-PG2-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月17日(月) 16:00 〜 18:00 PG2 (G棟2階)

16:00 〜 18:00

[17p-PG2-4] フィラメント動作型抵抗変化メモリにおけるリセット過程のパルススイッチング特性

森山拓洋1,小石遼介1,木村康平1,岸田悟1,2,木下健太郎1,2 (鳥取大工1,TEDREC2)

キーワード:ReRAM,リセット過程,フィラメント