[17p-PG2-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-PG2-4] フィラメント動作型抵抗変化メモリにおけるリセット過程のパルススイッチング特性

^○森山拓洋¹，小石遼介¹，木村康平¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM,リセット過程,フィラメント