[17p-PG2-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-PG2-5] 抵抗変化型メモリのリセット過程におけるパルススイッチングの過渡応答特性

^○木村康平¹，森山拓洋¹，小石遼介¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM,パルススイッチング,NiO