[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PG3-26] 反応性イオンエッチングによるa-IGZOサブミクロンデバイス構造の試作

^○清水貴思，桑原正史 (産総研)

キーワード：酸化物半導体