[18a-D6-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-D6-3] 通電加熱陰極を用いた直流プラズマCVD装置によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの長時間成長

^○池田仁美¹，市川公善¹，児玉英之¹，鈴木一博²，河野省三¹，澤邊厚仁¹ (青山学院大¹，トウプラスエンジニアリング²)

キーワード：ダイヤモンド,プラズマCVD