[18a-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18a-E10-4] ZnOホモバッファ層を導入したVドープ透明導電薄膜と圧電膜の特性

^○森達哉¹，安倍大²，千葉博¹，奥田修平¹，川島知之¹，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

キーワード：V,ZnO,バッファ