[18a-E11-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18a-E11-4] (775)B InP 基板上にMBE成長したInGaAs層及びInAlAs層の光学的特性と格子整合条件近傍のIn組成依存性

^○森貞俊 (愛媛大院)

キーワード：半導体,レーザ