2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

17.ナノカーボン » 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[18a-E2-1~5] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2014年3月18日(火) 09:00 〜 10:15 E2 (E102)

09:15 〜 09:30

[18a-E2-2] MBE法によるMoSe2薄膜のエピタキシャル成長

小野満恒二,山本秀樹 (NTT物性研)

キーワード:分子線エピタキシ,層状物質,GaAs