[18a-E5-1~8] 15.6 IV族系化合物

[18a-E5-4] SiC熱酸化膜MOSキャパシタの絶縁破壊痕表面における炭素の挙動

^○佐藤創志¹，廣井佑紀³，山部紀久夫³，北畠真⁴，遠藤哲郎^1,2，丹羽正昭¹ (東北大国際集積センター¹，東北大工学研究科²，筑波大電子物理³，FUPET⁴)

キーワード：SiC,絶縁破壊,炭素