[18a-E5-1~8] 15.6 IV族系化合物

[18a-E5-6] SiC基板表面の光学顕微鏡観察におけるXY分解能の影響

^○田村謙太郎^1,3，迫秀樹^1,4，佐々木雅之^1,5，山下任^1,6，浅水啓州^1,3，伊藤佐千子²，児島一聡^1,2，長屋正武^1,7，貴堂高徳^1,6，北畠真^1,8，河田研治^1,2，加藤智久^1,2 (FUPET¹，AIST²，ローム³，東レリサーチセンター⁴，新日鐵住金⁵，昭和電工⁶，デンソー⁷，パナソニック⁸)

キーワード：ステップバンチング,水素エッチング,表面ダメージ