[18a-F6-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18a-F6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Al 誘起層交換成長法によるGe 結晶薄膜/絶縁基板の極低温形成

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，大谷直生¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院 数理物質¹，名大院 工²，JST-CREST³)

キーワード：Ge,Al誘起成長法