[18a-F6-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18a-F6-11] 横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位

^○冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

キーワード：GeSn,LLPE,結晶方位