[18a-F9-1~10] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[18a-F9-5] AlGaAs近接障壁層導入による量子ドット赤外線検出器の比検出能向上

^○各務惣太^1,2，五十嵐悠一^1,2，白澤大輔¹，渡邉克之²，白根昌之^1,2，大河内俊介²，萬伸一^1,2，荒川泰彦^2,3 (ＮＥＣスマエネ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

キーワード：量子ドット,赤外線,quantum dot