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一般セッション(ポスター講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス

[18a-PG6-1~23] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:30 PG6 (G棟2階)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-6] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性3

^○相澤豊¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，原子力機構³)

キーワード：希土類,発光,酸化物半導体