2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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分科企画シンポジウム

分科企画シンポジウム » Developments and Challenges for Resistance Change Memories Technology (抵抗変化メモリ技術の発展及び課題）

[18p-E1-1~14] Developments and Challenges for Resistance Change Memories Technology (抵抗変化メモリ技術の発展及び課題）

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:30 E1 (E101)

14:15 〜 14:45

▲ [18p-E1-3] Data Retention of TaOx ReRAM in Low Current Operation and after Cycling（30分）

○二宮健生，村岡俊作，魏志強 (パナソニック)

キーワード：resistance change memories,retention,conductive filament