[18p-E1-1~14] Developments and Challenges for Resistance Change Memories Technology (抵抗変化メモリ技術の発展及び課題）

▲ [18p-E1-7] Impact of oxidization, nitridation, and process temperature on materials for ReRAM（30分）

^○島久，秋永広幸 (産総研ナノエレ部門)

キーワード：ReRAM,酸化物,メモリ