2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-1~20] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:30 E10 (E204)

13:30 〜 13:45

[18p-E10-2] PLD法で真空製膜したアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜における電荷補償と水素によるパッシベーション効果

神谷利夫1,2,HermsJohannes1,大類貴俊1,羽生雄一郎1,平松秀典1,2,雲見日出也2,細野秀雄1,2,3,上田茂典4,大橋直樹2,4 (東工大 応セラ研1,東工大 元素戦略研2,東工大 フロンティア研3,物材機構4)

キーワード:アモルファス酸化物半導体,不純物,欠陥