2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月18日(火) 13:00 〜 18:15 E13 (E301)

15:15 〜 15:30

[18p-E13-8] ハイドライド気相成長法による半極性面{11-22}GaNの転位・積層欠陥の低減

上野元久,山根啓輔,岡田成仁,只友一行 (山口大工)

キーワード:半導体