2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18p-E14-1~21] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:45 E14 (E302)

17:30 〜 17:45

△ [18p-E14-17] Ge(111)基板上にエピタキシャル成長したGe1-xSnx膜の表面構造に与えるSnの影響

○濱崎拡，株柳翔一，西村知則，長汐晃輔，鳥海明 (東大工)

キーワード：Ge