[18p-E2-1~18] 17.1 成長技術

[18p-E2-6] MBE法によって傾斜SiCナノ表面上にエピタキシャル成長したグラフェンナノリボンの電子状態

^○梶原隆司¹，AntonVisikovskiy¹，中辻寛³，飯盛拓嗣²，小森文夫²，田中悟¹ (九大院工¹，東大物性研²，東工大院総理工³)

キーワード：Graphene nanoribbon,バンドギャップ,電子状態