2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

2014年3月18日(火) 13:15 〜 16:15 E5 (E105)

13:15 〜 13:30

△ [18p-E5-1] 高電流増幅率4H-SiC(000-1) BJTの電流増幅率の温度依存性

○浅田聡志1，奥田貴史2，木本恒暢2，須田淳2 (京大工1，京大院工2)

キーワード：SiC,BJT,電気的特性