[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

△ [18p-E5-4] SAB法によるp⁺-Si / n-4H-SiC接合のアニール温度依存性

^○（M1）西田将太¹，梁剣波¹，林朋宏¹，森本雅史¹，重川直輝¹，新井学² (阪市大工¹，新日本無線²)

キーワード：表面活性化ボンディング法,SiC,アニール