[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

△ [18p-E5-6] 水素ガスエッチングを施した4H-SiC極性面および無極性面基板の表面形状

^○東孝洋，金子光顕，木本恒暢，須田淳 (京大院工)

キーワード：SiC,エッチング