[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

△ [18p-E5-8] コンダクタンス法を用いたSiC(11\overline{2}0)および(1\overline{1}00) MOS界面準位の評価

^○中澤成哉¹，奥田貴史¹，中村孝²，木本恒暢¹ (京大工¹，ローム²)

キーワード：SiC,MOS,コンダクタンス法