[18p-F6-1~20] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18p-F6-1] Si基板上アモルファスGe/Cのアニール処理によるGeドットの形成に関する検討

^○畠山真慈¹，伊藤友樹¹，奥野颯²，川島知之^1,2，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

キーワード：Ge,量子ドット,QD