[18p-F9-1~16] 5.1 Semiconductor laser, Light emitter / Photodetector

[18p-F9-7] Enhanced photoluminescence from Ge passivated with spin-on dopants

^○Akane Osawa^1,2, Yuhsuke Yasutake^1,3, Susumu Fukatsu¹ (The University of Tokyo¹, Yokohama Futaba Junior and Senior High School², JST PRESTO³)

Keywords:半導体 ゲルマニウム Ge フォトルミネッセンス スピンオンドーパント 表面改質