[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

[18p-PA12-2] 高温Ar熱処理Si基板上 (100) pMOSFETの正孔移動度向上機構

^○朝倉佑吏^1,2，荒木浩司³，宮下守也³，泉妻宏治³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，グローバルウェーハズ・ジャパン³)

キーワード：SiMOSFET,移動度,半導体