[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

[18p-PA12-7] 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用（Ⅲ）

^○（B）伊藤佳奈¹，内藤慎二²，小林清輝^1,2 (東海大工¹，東海大院工²)

キーワード：SiCN,不揮発性メモリ