[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

[18p-PA12-9] 極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPNボディコンタクト付きSOI MOSFETの提案

^○森貴之，田篠奏，井田次郎 (金沢工大)

キーワード：Steep Subthreshold Slope,SOI MOSFET