[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-1] 歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価

^○藤川紗千恵^1,2，高木裕介^1,2，前田章臣^1,2，古仲佑太朗^1,2，原紳介²，渡邉一世^1,2，遠藤聡²，山下良美²，笠松章史²，藤代博記^1,2 (東京理科大¹，情報通信研究機構²)

キーワード：AlInSb