[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-PG3-11] GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析

^○山口裕太郎¹，大石敏之¹，大塚浩志¹，山中宏治¹，ＴｅｏＫｏｏｎＨｏｏ²，宮本恭幸³ (三菱電機¹，MERL²，東工大³)

キーワード：GaN,HEMT