[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-15] AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタへの凹凸AlGaN 層導入による低抵抗コンタクト形成の可能性

^○神谷真行¹，武井優典¹，齋藤渉²，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，東芝²)

キーワード：AlGaN,オーミックコンタクト,凹凸