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一般セッション(ポスター講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG3 (G棟2階)

13:30 〜 15:30

△ [18p-PG3-2] 歪InSb HEMTにおける高ns高Gm構造の理論的検討

^○（D）西尾結，佐藤万里衣，佐藤宇人，平山尚美，飯田努，高梨良文 (東理大院)

キーワード：InSb,HEMT,二次元電子ガス