[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-3] InAs系PHEMTにおける電子・正孔系の量子状態の理論解析

^○佐藤万里衣，西尾結，市川有保，平山尚美，飯田努，高梨良文 (東理大院)

キーワード：HEMT,InAs,二次元正孔ガス