13:30 〜 15:30
[18p-PG3-4] 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsチャネルトライゲートMOSFET
キーワード：MOSFET,InGaAs,マルチゲートデバイス
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG3 (G棟2階)
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG3 (G棟2階)
13:30 〜 15:30
キーワード：MOSFET,InGaAs,マルチゲートデバイス