[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-7] GaN/AlGaN/GaN分極超接合構造トランジスタのスイッチング特性

^○八木修一，平田祥子，松本壮太，孝治吉春，杉浦浩，河合弘治 (パウデック)

キーワード：GaN,Transistor