[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-9] La₂O₃ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaNデバイスのプロセス依存性

^○陳江寧¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹，齋藤渉³ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ストレージ社³)

キーワード：絶縁膜, AlGaN/GaN, プロセス