2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15.結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG6 (G棟2階)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-10] シリコン基板上直接成長メタモルフィックGaAs/InGaAsバッファのその場反射率測定

荒井昌和,中尾亮,伊賀龍三,神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

キーワード:メタモルフィック,シリコン