13:30 〜 15:30
▲ [18p-PG6-12] Study of high background doping in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy
キーワード：GaAsN, chemical beam epitaxy,GaAsN, chemical beam epitaxy,GaAsN, chemical beam epitaxy
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶
[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶
2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG6 (G棟2階)