2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15.結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG6 (G棟2階)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-2] 第一原理計算によるII-VI族化合物半導体の酸素ドープの光学特性の解析

石川真人,中山隆史 (千葉大理)

キーワード:II-VI族化合物半導体,酸素ドープ,第一原理計算