[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-PG6-4] 分子線エピタキシー法による空気/GaAs 2次元フォトニック結晶構造の空孔埋め込み成長 ―基板温度による空孔形状制御の可能性―

^○前川享平¹，西本昌哉¹，石崎賢司¹，北村恭子²，野田進¹ (京大院工¹，京大白眉²)

キーワード：MBE,フォトニック結晶,GaAs