[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-PG6-8] C₆₀ doped GaAsダイオードの容量電圧特性

^○西永慈郎¹，堀越佳治² (早大高等研¹，早大理工²)

キーワード：フラーレン,GaAs,接合容量