[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-D8-12] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性(II)

^○山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤聡^1,2，笠松章文¹，三村高志^1,2 (情報通信研究機構¹，富士通研²)

キーワード：InAlN,HEMT,MIS