[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-D8-8] AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング

^○熊崎祐介¹，佐藤威友¹，橋詰保^1,2 (北大量集セ¹，JST-CREST²)

キーワード：高電子移動度トランジスタ,電気化学エッチング,ノーマリオフ