[19a-D9-1~13] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19a-D9-10] EXAFS法によるSi結晶中のBiδドーピング層形成過程の研究3:埋め込みBi原子細線構造

^○村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，矢代航⁴，日塔光一¹，坂田修身¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³，東北大多元研⁴)

キーワード：シリコン,ビスマス,EXAFS