[19a-E10-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19a-E10-6] Pt/ZnOショットキーフォトダイオードにおける逆バイアス特性の改善

^○遠藤治之¹，大橋律男²，阿部貴志¹，高橋強¹，柏葉安兵衛³ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，岩手大³)

キーワード：ZnO,Schottky photodiode,ultraviolet sensor