[19a-E10-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19a-E10-8] 電界印加ゾル-ゲル法を用いたn-ZnO/NiO/p-Siヘテロ接合特性

^○山田順平，阿部一徳，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大)

キーワード：ZnO,sol-gel,NiO