2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月19日(水) 09:00 〜 11:45 E14 (E302)

09:00 〜 09:15

[19a-E14-1] 液体シクロペンタシランを用いた大気圧CVD 法によるa-Si:H 薄膜の作製

高岸秀行1,2,申仲栄1,2,増田貴史1,3,大平圭介1,2,3,下田達也1,2,3 (北陸先端大1,JST-ALCA2,北陸先端大GDRC3)

キーワード:アモルファスシリコン薄膜,大気圧CVD,cyclopentasilane