2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月19日(水) 09:00 〜 11:45 E14 (E302)

10:00 〜 10:15

[19a-E14-5] ダブルラインビーム連続発振レーザ結晶化を用いたpoly-Si TFTにおけるオフリーク電流特性

山野真幸1,黒木伸一郎1,佐藤旦1,小谷光司2,吉川公麿1 (広島大ナノデバイス1,東北大工2)

キーワード:TFT,薄膜トランジスタ,poly-Si