[19a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-E14-5] ダブルラインビーム連続発振レーザ結晶化を用いたpoly-Si TFTにおけるオフリーク電流特性

^○山野真幸¹，黒木伸一郎¹，佐藤旦¹，小谷光司²，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス¹，東北大工²)

キーワード：TFT,薄膜トランジスタ,poly-Si