2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月19日(水) 09:00 〜 11:45 E14 (E302)

11:00 〜 11:15

[19a-E14-8] メニスカス力を用いた局所転写によるガラス基板上高性能nチャネルSi MOSFETの作製

赤澤宗樹,酒池耕平,中村将吾,東清一郎 (広大院 先端研)

キーワード:転写,単結晶Si,歪シリコン